➤ 詳細介紹
About HELIOS II
HELIOS II 8倍淨膚雷射通過美國FDA認證，屬於溫和、非侵入式的治療技術，能量與穿透深度相較傳統淨膚雷射提升約8至10倍。其搭載全球首創的「分段光熱療法（Fractional Photothermolysis）」技術，結合1064nm與532nm雙波長Q開關釹雅鉻雷射系統，能夠輸出分段光束，使雷射能量分布更均勻，大幅縮短治療時間，提升療程效果與舒適度。
8倍淨膚除斑原理
不同於傳統除斑治療，HELIOS II 8倍淨膚雷射採用1064nm波長結合Q-YAG飛梭探頭，搭載雙波長(532nm/1064nm)的Q開關Nd:YAG釹雅鉻雷射系統，能以特殊設計的「細胞膜波型」技術，讓雷射能量更均勻地分佈於皮膚表層。這樣的能量傳遞方式，不僅提升治療的精準度與安全性，同時有效縮短整體療程時間，帶來更溫和、高效的治療體驗。
光束均勻輸出
HELIOS II 8倍淨膚雷射採用分段光束模式（5x5mm範圍內均勻分佈81個能量點）進行擊發，相較於傳統淨膚雷射，其單位面積能量（J/cm²）提升了8至10倍，並具備更優異的穿透深度，能精準作用於真皮層中的色素斑，不傷害周圍正常組織。加上雷射光點尺寸小於200μm，治療過程中帶來的刺激感大幅降低，顯著減輕疼痛與不適，因此多數情況下無需事先敷麻藥，即可輕鬆進行療程，同時達到更高效的改善效果。
「雙波長」精準治療
HELIOS II 8倍淨膚雷射結合532nm與1064nm雙波長設計，針對不同深度的肌膚問題提供更精準的治療。
532nm屬於綠光波段，波長較短，主要作用於皮膚表層，適合改善雀斑、曬斑等淺層黑色素問題。
而1064nm則屬於紅外光波段，波長較長、穿透力更深，可針對肌膚深層色素進行治療，達到提亮膚色、改善暗沉的效果。同時，1064nm波長也能刺激淺真皮層，促進膠原蛋白新生、抑制皮脂腺分泌，進而間接改善毛孔粗大、粉刺與青春痘問題。針對如肝斑這類較深層的色素困擾，1064nm波長亦能提供良好的修復效果。
➤ 適用部位
Applicable Parts
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表淺性色素斑：雀斑、晒斑、咖啡牛奶斑、淺痣
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真皮性色素班：顴骨母斑、太田母斑、貝克式斑、肝斑
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刺青：黑、藍、紅、黃、洗紋眉眼線
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縮小毛孔、清除粉刺、均勻膚色、淨膚亮白、淡化細紋、緊緻肌膚
「不適合」接受淨膚雷射之情況
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懷孕婦女
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懷疑有皮膚病變或免疫系統異常者
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具蟹足腫體質者
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皮膚黝黑或肌膚極度敏感／脆弱者
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服用具光敏感副作用藥品者
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血液或免疫系統疾病者
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一個月內有進行果酸治療者
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目前有口服A酸者，請停藥六個月後再接受雷射治療
避免日曬：治療前一週請避免長時間曝曬於陽光下，並落實防曬措施，以降低治療時肌膚反應或色素沉澱風險。
暫停特定護膚品：治療前3至5天，請停止使用含有果酸、A酸、左旋C、酒精成分等刺激性保養品，以減少肌膚敏感反應。
保持肌膚清潔：治療當日請避免上妝、擦防曬產品，讓肌膚保持乾淨，利於療程效果。
避免其他醫美療程：若近期有進行過其他雷射、換膚、埋線或注射療程，建議與醫師充分溝通，評估肌膚狀態後再安排療程。
孕期與特殊疾病者審慎評估：若有懷孕、重大皮膚疾病或免疫系統問題，請事先告知醫師，由專業評估是否適合接受療程。
加強保濕與防曬：療程後肌膚會暫時變得較乾燥與脆弱，請加強保濕護理，並且每天使用SPF50以上的防曬產品，避免紫外線刺激引起色素沉澱。
避免刺激性保養與彩妝：治療後3至5天內請避免使用含有酸類、酒精、去角質產品，並盡量減少上妝，以利肌膚修復。
避免高溫刺激：術後一週內請避免泡溫泉、蒸氣浴、三溫暖等高溫環境，以防止肌膚過度刺激。
自然結痂與脫落：若有輕微結痂或微小脫屑，請讓其自然脫落，切勿自行摳抓，以免造成疤痕或色素沉澱。
遵照醫囑保養：若醫師有開立術後修復乳膏或藥物，請依指示使用，並按時回診追蹤肌膚恢復狀況。